Passivation Layer 뜻 - Passivation Layer tteus

Package ; 반도체 IC를 Hermetic Seal 또는 Plastic Module로 포장한 것을 말하며, IC의 최종 형태이다. Package는 반도체 표면을 외부의 습기나 불순물로부터 보호할 뿐만 아니라 내부의 Chip이나 가느다란 Lead 선에 외부로부터 직접 인장력이 가해지는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한 Power Device 등에서는, 접합부에 발생한 열을 효과적으로 발산시키기 위해 Package 설계를 적절히 하는 것이 중요하다.

Packing ; 제품의 포장 관련 작업 공정. 특히 정전기 발생을 방지할 수 있는 재료의 선택이 중요하다.

Pad ; Lead Frame과 Bonding Wire를 연결할 수 있도록 소자내에 금속의 넓은 공간을 형성한 부분을 말한다.

Paddle ; Chip이 얹혀지는 Lead Frame의 부분. Chip Size에 따라 Paddle Size가 결정된다.

Particle Induced X-ray Emission ; PIXE

Passivation ; 보호막. 화학 작용이나 부식으로 인하여 제품이 전기적으로 퇴화하는 것을 막고 외부적인 물리적 충격으로부터 제품을 보호하기 위하여 제품의 표면에 입히는 보호막. 보통 Si3N4 또는 SiO2가 쓰인다.

PCB ; Printed circuit Board. 인쇄 회로 기판

P Channel ; N형 기판에 P형 확산 영역을 형성한 MOS FET에 있어서 Source, Drain 사이에 흐르는 전류의 통로인 Channel이 정공에 의해서 형성된 것을 말한다

PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. 전자에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자를 분해하고 이 분해된 가스 원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하는 CVD법

Pellet ; Wafer 상에 소자 가공이 끝난 상태의 개개의 IC (=Chip, Die)

Pellicle ; Mask나 Reticle에 공기중의 먼지 등 오염 물질이 닿지 않도록 얇고 완전 투명한 Nitrocellulose로 만든 보호막

Peri ; Memory IC에서 Cell Block과 Cell Block에 직접 연결된 Decoder, Sense Amp 등의 회로를 제외한 나머지 부분

Peripheral Circuit ; Memory IC에서 Cell Block과 Cell Block에 직접 연결된 Decoder, Sense Amp 등의 회로를 제외한 나머지 부분

Phosphorus Doped Vapor Deposited Silicon ; PVX. PVX (Doped Silox). 화학적으로 적층된 P가 많은 실리콘 산화막. PVX는 긁힘 방지용으로도 쓰이지만 보통 Vapox층을 쓴다.

Phospho Silicate Glass ; PSG. Silicon Dioxide의 표면에 P를 확산할 경우 Silicon Dioxide의 표면은 P를 다량 함유한 층으로 바뀐다. 이 층을 PSG라고 한다. PSG는 수분이나 그 밖의 불순물을 흡착하는 성질이 있고 또 PR의 밀착성을 나빠지게 하므로 P 확산 후에 이것을 제거해 버리는 경우가 있으며, 또 Gattering 효과를 위해 남겨 놓는 경우도 있다.

Photo Resist ; PR. 감광성 수지. 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성(Positive)과 음성(Negative)으로 나뉜다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는 Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다.

Photon Stimulated Desorption ; PSD

Physical Vapor Deposition ; PVD. CVD(Chemica Vapor Deposition)에 대비해서 쓰는 말로 박막을 증착하는 과정에서 Sputtering 등의 물리적 증착법을 이용하는 기술의 총칭

PIXE ; Particle Induced X-ray Emission

PKG ; Package. 반도체 IC를 Hermetic Seal 또는 Plastic Module로 포장한 것을 말하며, IC의 최종 형태이다. Package는 반도체 표면을 외부의 습기나 불순물로부터 보호할 뿐만 아니라 내부의 Chip이나 가느다란 Lead 선에 외부로부터 직접 인장력이 가해지는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한 Power Device 등에서는, 접합부에 발생한 열을 효과적으로 발산시키기 위해 Package 설계를 적절히 하는 것이 중요하다.

Planar Structure ; 단일 평면에서 접합과 확산, 그리고 산화막 마스킹으로 만드는 평면 소자구조. 구조의 평면성은 PR 공정에 유리하다.

Plasma ; 원자나 분자는 외부에서 높은 에너지를 가해주면 최외각 전자의 결합이 떨어져서 양이온 상태의 원자와 비결합 상태의 자유 전자가 독립적으로 존재하게 된다. 이렇게 양이온과 음이온이 무작위로 흩어져 있는 상태를 물질의 제4상태인 플라즈마라고 부르며, 전체적으로는 전기적으로 중성이다.

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD. 전자에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자를 분해하고 이 분해된 가스 원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하는 CVD법
Plastic Leaded Chip Carrier ; PLCC

PLCC ; Plastic Leaded Chip Carrier

PN Junction ; PN 접합. 결정내에서 주로 정공으로 전도하는 P 영역과 주로 전자로 전도하는 N 영역과의 접면

PNP ; 보통 Biopoler Transistor에 쓰이며 두개의 P 영역 사이에 N 영역이 들어있는 Transistor구조

PNP Transistor ; Emitter와 Collector의 P 영역 사이에 Base의 N 영역이 들어있는 Transistor

Poly ; 많은 결정으로 구성된 실리콘. 결정 실리콘은 원래 다결정 실리콘으로 만든다. Poly는 Epi를 너무 빨리 너무 저온으로 적층하면 만들어지고 (의도적이건 우연이건) 산화층이 적층해도 만들어 진다. (=Polycrystalline Silicon)

Polycrystalline Silicon ; 많은 결정으로 구성된 실리콘. 결정 실리콘은 원래 다결정 실리콘으로 만든다. Poly는 Epi를 너무 빨리 너무 저온으로 적층하면 만들어지고 (의도적이건 우연이건) 산화층이 적층해도 만들어 진다. (=Poly)

Positive Photo Resistor ; 양성 PR. 빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 PR

Positive PR ; 양성 PR. 빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 PR

Positive Resist ; 양성 PR. 빛을 받은 부분이 현상(Develop)시에 제거되는 PR.

PR ; Photo Resist. 감광성 수지. 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라 양성(Positive)과 음성(Negative)으로 나뉜다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는 Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다.

Probe Test ; 검사에서 제조된 Wafer의 전기적 특성 및 동작 상태를 검사하여 양품과 불량품을 분류하고 불량품에 대해 Repair가능 여부를 판단하여 필요시 전기적 방법이나 LASER로 Repair하는 Wafer Test 공정 (=EDS : Electrical Die Sorting, 전기적 소자 분류)

PSD ; Photon Stimulated Desorption

PSG ; Phospho Silicate Glass. Silicon Dioxide의 표면에 P를 확산할 경우 Silicon Dioxide의 표면은 P를 다량 함유한 층으로 바뀐다. 이 층을 PSG라고 한다. PSG는 수분이나 그 밖의 불순물을 흡착하는 성질이 있고 또 PR의 밀착성을 나빠지게 하므로 P 확산 후에 이것을 제거해 버리는 경우가 있으며, 또 Gattering 효과를 위해 남겨 놓는 경우도 있다.